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CSD25304W1015

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Numero di parte CSD25304W1015
fabbricante N/A
Descrizione MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 307999 pcs
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Numero di parte CSD25304W1015 fabbricante N/A
Descrizione MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 307999 pcs Scheda dati
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.15V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 6-DSBGA Serie NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 6-UFBGA, DSBGA
Altri nomi 296-40005-2
CSD25304W1015-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 595pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.4nC @ 4.5V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata P-Channel 20V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)

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