CSD25201W15
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| Numero di parte | CSD25201W15 |
|---|---|
| fabbricante | N/A |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | CSD25201W15 | fabbricante | N/A |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4675 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | -6V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 9-DSBGA | Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 40 mOhm @ 2A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 9-UFBGA, DSBGA |
| Altri nomi | 296-27609-1 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 4A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 9-DSBGA |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
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