CSD25211W1015
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| Numero di parte | CSD25211W1015 |
|---|---|
| fabbricante | N/A |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | 6000 pcs | 15000 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.077 | $0.072 | $0.067 | |||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | CSD25211W1015 | fabbricante | N/A |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 327563 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | -6V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-DSBGA (1x1.5) | Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-UFBGA, DSBGA |
| Altri nomi | 296-36578-2 CSD25211W1015-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
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