CSD25213W10

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| Numero di parte | CSD25213W10 |
|---|---|
| fabbricante | N/A |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.21 | $0.166 | $0.114 | $0.078 | $0.059 | |
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | CSD25213W10 | fabbricante | N/A |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 339725 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | -6V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 4-DSBGA (1x1) | Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 47 mOhm @ 1A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 4-UFBGA, DSBGA |
| Altri nomi | 296-40004-1 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 35 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 478pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 1.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
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