BSG0810NDIATMA1
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| Numero di parte | BSG0810NDIATMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.415 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSG0810NDIATMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 88471 pcs | Scheda dati | BSG0810NDI |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TISON-8 | Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3 mOhm @ 20A, 10V | Potenza - Max | 2.5W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | SP001241674 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 12V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive | Tensione drain-source (Vdss) | 25V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 39A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 19A, 39A |
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