SI3529DV-T1-GE3
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| Numero di parte | SI3529DV-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI3529DV-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5706 pcs | Scheda dati | SI3529DV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.2A, 10V | Potenza - Max | 1.4W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 205pF @ 20V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Tipo FET | N and P-Channel | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A, 1.95A |
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