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IPG16N10S4L61AATMA1

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Numero di parte IPG16N10S4L61AATMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET 2N-CH 8TDSON
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 144053 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte IPG16N10S4L61AATMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET 2N-CH 8TDSON Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 144053 pcs Scheda dati IPG16N10S4L-61A
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 90µA
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-10 Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 61 mOhm @ 16A, 10V Potenza - Max 29W
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerVDFN
Altri nomi SP001102932 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 845pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Tensione drain-source (Vdss) 100V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-10 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A

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