SI1905BDH-T1-E3
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| Numero di parte | SI1905BDH-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI1905BDH-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5598 pcs | Scheda dati | SI1905BDH |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-70-6 (SOT-363) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 542 mOhm @ 580mA, 4.5V | Potenza - Max | 357mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 4V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 8V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 630mA 357mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 630mA | Numero di parte base | SI1905 |
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