BSC046N02KS G
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| Numero di parte | BSC046N02KS G |
|---|---|
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 5000 pcs | 10000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.171 | $0.165 | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSC046N02KS G | fabbricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 133499 pcs | Scheda dati | BSC046N02KS G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 4100pF @ 10V |
| Tensione - Ripartizione | PG-TDSON-8 | Vgs (th) (max) a Id | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
| Vgs (Max) | 2.5V, 4.5V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | OptiMOS™ | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 19A (Ta), 80A (Tc) | Polarizzazione | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GTR BSC046N02KSG BSC046N02KSGAUMA1 SP000379666 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard | 16 Weeks | codice articolo del costruttore | BSC046N02KS G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27.6nC @ 4.5V | Tipo IGBT | ±12V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2V @ 110µA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20V |
| rapporto di capacità | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
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