BSC0501NSIATMA1
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| Numero di parte | BSC0501NSIATMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.232 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSC0501NSIATMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 103388 pcs | Scheda dati | BSC0501NSI |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 | Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 30A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | SP001288140 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Ta), 100A (Tc) |
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