BSC037N08NS5ATMA1
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| Numero di parte | BSC037N08NS5ATMA1 |
|---|---|
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.377 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSC037N08NS5ATMA1 | fabbricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 104147 pcs | Scheda dati | BSC037N08NS5 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 4200pF @ 40V |
| Tensione - Ripartizione | PG-TDSON-8 | Vgs (th) (max) a Id | 3.7 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (Max) | 6V, 10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | OptiMOS™ | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 100A (Tc) | Polarizzazione | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | BSC037N08NS5ATMA1-ND BSC037N08NS5ATMA1TR SP001294988 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 16 Weeks | codice articolo del costruttore | BSC037N08NS5ATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 58nC @ 10V | Tipo IGBT | ±20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8V @ 72µA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 80V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 80V |
| rapporto di capacità | 2.5W (Ta), 114W (Tc) |
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