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BSC040N10NS5ATMA1

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Numero di parte BSC040N10NS5ATMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 81059 pcs
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Numero di parte BSC040N10NS5ATMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 81059 pcs Scheda dati BSC040N10NS5
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 95µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 4 mOhm @ 50A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 139W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Altri nomi BSC040N10NS5ATMA1CT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5300pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V Descrizione dettagliata N-Channel 100V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)

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