SI6562CDQ-T1-GE3
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| Numero di parte | SI6562CDQ-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.442 | $0.393 | $0.31 | $0.241 | $0.19 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI6562CDQ-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 106140 pcs | Scheda dati | SI6562CDQ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSSOP | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V | Potenza - Max | 1.6W, 1.7W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi | SI6562CDQ-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6.7A, 6.1A |
| Numero di parte base | SI6562 |
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