SI6924AEDQ-T1-E3
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| Numero di parte | SI6924AEDQ-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI6924AEDQ-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4956 pcs | Scheda dati | SI6924AEDQ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSSOP | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 33 mOhm @ 4.6A, 4.5V | Potenza - Max | 1W |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi | SI6924AEDQ-T1-E3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 28V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 28V 4.1A 1W Surface Mount 8-TSSOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A |
| Numero di parte base | SI6924 |
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- Parte#:
C1206X821F8HAC7800 - Produttori:
KEMET - Descrizione:
CAP CER 1206 820PF 10V ULTRA STA - Disponibile:
471731