SI6473DQ-T1-E3
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| Numero di parte | SI6473DQ-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI6473DQ-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5416 pcs | Scheda dati | SI6473DQ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSSOP | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.08W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A (Ta) |
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