SI6913DQ-T1-GE3
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| Numero di parte | SI6913DQ-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.174 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI6913DQ-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 126345 pcs | Scheda dati | SI6913DQ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 900mV @ 400µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSSOP | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V | Potenza - Max | 830mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi | SI6913DQ-T1-GE3TR SI6913DQT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 12V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.9A 830mW Surface Mount 8-TSSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A | Numero di parte base | SI6913 |
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- Parte#:
TPH3212PS - Produttori:
Transphorm - Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 27A TO220 - Disponibile:
9047