SI3585DV-T1-GE3
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| Numero di parte | SI3585DV-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI3585DV-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4191 pcs | Scheda dati | SI3585DV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V | Potenza - Max | 830mW |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi | SI3585DV-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2A, 1.5A 830mW Surface Mount 6-TSOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2A, 1.5A |
| Numero di parte base | SI3585 |
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