SI3499DV-T1-E3
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| Numero di parte | SI3499DV-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI3499DV-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5889 pcs | Scheda dati | SI3499DV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 750mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±5V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi | SI3499DV-T1-E3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 8V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 8V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Ta) |
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