SI3812DV-T1-GE3
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| Numero di parte | SI3812DV-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI3812DV-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4584 pcs | Scheda dati | SI3812DV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP | Serie | LITTLE FOOT® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 830mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 2A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
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- Parte#:
325322-22-0 - Produttori:
Curtis Industries - Descrizione:
CONN BARRIER STRP 22CIRC 0.325" - Disponibile:
10393