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SI3493DV-T1-GE3

SI3493DV-T1-GE3
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Numero di parte SI3493DV-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4728 pcs
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Numero di parte SI3493DV-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4728 pcs Scheda dati SI3493DV
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 27 mOhm @ 7A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 4.5V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata P-Channel 20V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A (Ta)

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