EPC2019
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| Numero di parte | EPC2019 |
|---|---|
| fabbricante | EPC |
| Descrizione | TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.714 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | EPC2019 | fabbricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 47281 pcs | Scheda dati | EPC2019 Datasheet |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1.5mA |
| Vgs (Max) | +6V, -4V | Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Contenitore dispositivo fornitore | Die | Serie | eGaN® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 50 mOhm @ 7A, 5V | Dissipazione di potenza (max) | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | Die |
| Altri nomi | 917-1087-2 | temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | Tensione drain-source (Vdss) | 200V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Ta) |
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