EPC2015
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| Numero di parte | EPC2015 |
|---|---|
| fabbricante | EPC |
| Descrizione | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.414 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | EPC2015 | fabbricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 21446 pcs | Scheda dati | EPC2015 Datasheet |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 9mA |
| Vgs (Max) | +6V, -5V | Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Contenitore dispositivo fornitore | Die Outline (11-Solder Bar) | Serie | eGaN® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4 mOhm @ 33A, 5V | Dissipazione di potenza (max) | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | Die |
| Altri nomi | 917-1019-2 | temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V | Descrizione dettagliata | N-Channel 40V 33A (Ta) Surface Mount Die Outline (11-Solder Bar) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Ta) |
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