EPC2012CENGR
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| Numero di parte | EPC2012CENGR |
|---|---|
| fabbricante | EPC |
| Descrizione | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.41 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | EPC2012CENGR | fabbricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 96411 pcs | Scheda dati | EPC2012C Datasheet |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 100pF @ 100V |
| Tensione - Ripartizione | Die Outline (4-Solder Bar) | Vgs (th) (max) a Id | 100 mOhm @ 3A, 5V |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) | Serie | eGaN® |
| Stato RoHS | Tape & Reel (TR) | Rds On (max) a Id, Vgs | 5A (Ta) |
| Polarizzazione | Die | Altri nomi | 917-EPC2012CENGRTR |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | codice articolo del costruttore | EPC2012CENGR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1nC @ 5V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 1mA |
| Caratteristica FET | N-Channel | Descrizione espansione | N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) |
| Tensione drain-source (Vdss) | - | Descrizione | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 200V | rapporto di capacità | - |
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