EPC2021ENG
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| Numero di parte | EPC2021ENG |
|---|---|
| fabbricante | EPC |
| Descrizione | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 10 pcs | 30 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.123 | $3.756 | $3.39 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | EPC2021ENG | fabbricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 11035 pcs | Scheda dati | EPC2021 Datasheet |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 1700pF @ 40V |
| Tensione - Ripartizione | Die | Vgs (th) (max) a Id | 2.5 mOhm @ 29A, 5V |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) | Serie | eGaN® |
| Stato RoHS | Tray | Rds On (max) a Id, Vgs | 60A (Ta) |
| Polarizzazione | Die | Altri nomi | 917-EPC2021ENG EPC2021ENGRB3 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore | EPC2021ENG | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15nC @ 5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 14mA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 80V |
| rapporto di capacità | - |
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