EPC2010
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| Numero di parte | EPC2010 |
|---|---|
| fabbricante | EPC |
| Descrizione | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.719 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | EPC2010 | fabbricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 14107 pcs | Scheda dati | EPC2010 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 3mA |
| Vgs (Max) | +6V, -4V | Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Contenitore dispositivo fornitore | Die | Serie | eGaN® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 25 mOhm @ 6A, 5V | Dissipazione di potenza (max) | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | Die |
| Altri nomi | 917-1016-2 | temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200V | Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 12A (Ta) Surface Mount Die |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
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