NVD5807NT4G-VF01
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| Numero di parte | NVD5807NT4G-VF01 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 23A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.095 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NVD5807NT4G-VF01 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 23A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 249405 pcs | Scheda dati | N(T,V)D5807N |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 31 mOhm @ 5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 33W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | NVD5807NT4G-ND NVD5807NT4G-VF01 NVD5807NT4G-VF01TR NVD5807NT4G-VF01TR-ND NVD5807NT4GOSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 4 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 603pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 40V 23A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount DPAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
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