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NVD5890NT4G

NVD5890NT4G
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Numero di parte NVD5890NT4G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 83678 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		2500 pcs
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Numero di parte NVD5890NT4G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 40V 100A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 83678 pcs Scheda dati NVD5890N
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 3.7 mOhm @ 50A, 10V Dissipazione di potenza (max) 4W (Ta), 107W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi NVD5890NT4G-VF01
NVD5890NT4G-VF01-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 4 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4760pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 40V
Descrizione dettagliata N-Channel 40V 24A (Ta), 123A (Tc) 4W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount DPAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta), 123A (Tc)

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