NVD5117PLT4G-VF01
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| Numero di parte | NVD5117PLT4G-VF01 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 61A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.41 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NVD5117PLT4G-VF01 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 61A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 73043 pcs | Scheda dati | NVD5117PL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 16 mOhm @ 29A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 4.1W (Ta), 118W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | NVD5117PLT4G NVD5117PLT4G-VF01TR NVD5117PLT4GOSTR NVD5117PLT4GOSTR-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 40 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 60V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 61A (Tc) |
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