NVD5806NT4G
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| Numero di parte | NVD5806NT4G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.336 | $0.295 | $0.228 | $0.169 | $0.135 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NVD5806NT4G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 166482 pcs | Scheda dati | N(T,V)D5806N |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 19 mOhm @ 15A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | NVD5806NT4GOSCT SVD5806NT4GOSCT SVD5806NT4GOSCT-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 4 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 40V 33A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount DPAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
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