NVD4810NT4G-TB01
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| Numero di parte | NVD4810NT4G-TB01 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 54A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.154 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NVD4810NT4G-TB01 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 54A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 127570 pcs | Scheda dati | NTD4810N, NVD4810N |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK-3 | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 10 mOhm @ 30A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.4W (Ta), 50W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 12V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 11.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 9A (Ta), 54A (Tc) 1.4W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 54A (Tc) |
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