NTMD6N03R2G
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| Numero di parte | NTMD6N03R2G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.117 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTMD6N03R2G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 201885 pcs | Scheda dati | NTMD6N03R2 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 32 mOhm @ 6A, 10V | Potenza - Max | 1.29W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | NTMD6N03R2GOS NTMD6N03R2GOS-ND NTMD6N03R2GOSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 24V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A | Numero di parte base | NTMD6N03 |
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