NTMD6P02R2SG
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| Numero di parte | NTMD6P02R2SG |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.142 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTMD6P02R2SG | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 141090 pcs | Scheda dati | NTMD6P02R2 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V | Potenza - Max | 750mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 16V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.8A | Numero di parte base | NTMD6P02 |
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