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NTMD4820NR2G

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Numero di parte NTMD4820NR2G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 166297 pcs
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Numero di parte NTMD4820NR2G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 166297 pcs Scheda dati NTMD4820N
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 20 mOhm @ 7.5A, 10V Potenza - Max 750mW
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi NTMD4820NR2GOSCT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 4 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 940pF @ 15V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 750mW Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A Numero di parte base NTMD4820N

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