NTMD6N04R2G
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| Numero di parte | NTMD6N04R2G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTMD6N04R2G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4256 pcs | Scheda dati | NTMD6N04R2 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 34 mOhm @ 5.8A, 10V | Potenza - Max | 1.29W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | NTMD6N04R2GOSCT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 32V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 4.6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.6A |
| Numero di parte base | NTMD6N04 |
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