NTLJD3182FZTBG
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| Numero di parte | NTLJD3182FZTBG |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTLJD3182FZTBG | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 6041 pcs | Scheda dati | NTLJD3182FZ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 710mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-WDFN Exposed Pad |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 2.2A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
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