NTLJD3119CTBG
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| Numero di parte | NTLJD3119CTBG |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.097 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTLJD3119CTBG | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 229436 pcs | Scheda dati | NTLJD3119C |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) | Serie | µCool™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V | Potenza - Max | 710mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-WDFN Exposed Pad |
| Altri nomi | NTLJD3119CTBG-ND NTLJD3119CTBGOSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 271pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 4.5V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.6A, 2.3A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A, 2.3A |
| Numero di parte base | NTLJD3119C |
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