NTLJD2105LTBG
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| Numero di parte | NTLJD2105LTBG |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTLJD2105LTBG | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4328 pcs | Scheda dati | NTLJD2105L |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 50 mOhm @ 4A, 4.5V | Potenza - Max | 520mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-WDFN Exposed Pad |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Tipo FET | N and P-Channel | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 8V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 8V 2.5A 520mW Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A |
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