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NTLJF3117PTAG

NTLJF3117PTAG
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Numero di parte NTLJF3117PTAG
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4105 pcs
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Numero di parte NTLJF3117PTAG fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4105 pcs Scheda dati NTLJF3117P
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 6-WDFN (2x2) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 710mW (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 531pF @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)

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