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NSBC114EPDP6T5G

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Numero di parte NSBC114EPDP6T5G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 823037 pcs
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Numero di parte NSBC114EPDP6T5G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 823037 pcs Scheda dati MUN5311DW1, NSBC114EPXxx
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-963 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potenza - Max 339mW imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SOT-963 Altri nomi NSBC114EPDP6T5GOSCT
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 2 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione - Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA Numero di parte base NSBC1*

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