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NSBC114EDP6T5G

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Numero di parte NSBC114EDP6T5G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1198417 pcs
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Numero di parte NSBC114EDP6T5G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1198417 pcs Scheda dati MUN5211DW1, NSBC114EDxx
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-963 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potenza - Max 408mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-963 Altri nomi NSBC114EDP6T5G-ND
NSBC114EDP6T5GOSTR
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 2 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione - Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 408mW Surface Mount SOT-963
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA Numero di parte base NSBC1*

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