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NSBC114EDXV6T1

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Numero di parte NSBC114EDXV6T1
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 3963 pcs
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Numero di parte NSBC114EDXV6T1 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 3963 pcs Scheda dati NSBC114EDXV6Tx
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potenza - Max 500mW imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 Altri nomi NSBC114EDXV6TOSCT
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Frequenza - transizione -
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
Numero di parte base NSBC1*

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