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NSBC114EF3T5G

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Numero di parte NSBC114EF3T5G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1458836 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte NSBC114EF3T5G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1458836 pcs Scheda dati MUN(2,5)211, MMUN2211L, DTC114Exx, NSBC114EF3
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SOT-1123 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potenza - Max 254mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-1123 Altri nomi NSBC114EF3T5G-ND
NSBC114EF3T5GOSTR
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 34 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
Numero di parte base NSBC1*

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