MCH6660-TL-H
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| Numero di parte | MCH6660-TL-H |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MCH6660-TL-H | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4541 pcs | Scheda dati | MCH6660 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-MCPH | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 136 mOhm @ 1A, 4.5V | Potenza - Max | 800mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-SMD, Flat Leads |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 128pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N and P-Channel | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2A, 1.5A 800mW Surface Mount 6-MCPH |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2A, 1.5A |
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