MCH6601-TL-E
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| Numero di parte | MCH6601-TL-E |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 0.2A MCPH6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MCH6601-TL-E | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 0.2A MCPH6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5345 pcs | Scheda dati | MCH6601 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-MCPH | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 10.4 Ohm @ 50mA, 4V | Potenza - Max | 800mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-SMD, Flat Leads |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7.5pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.43nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 200mA 800mW Surface Mount 6-MCPH |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA |
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- Parte#:
D38999/24TE35HN-LC - Produttori:
Amphenol Aerospace Operations - Descrizione:
CONN RCPT HSNG MALE 55POS PNL MT - Disponibile:
1439