MCH6613-TL-E
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| Numero di parte | MCH6613-TL-E |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V MCPH6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MCH6613-TL-E | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V MCPH6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5796 pcs | Scheda dati | MCH6613 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-MCPH | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.7 Ohm @ 80mA, 4V | Potenza - Max | 800mW |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 6-SMD, Flat Leads |
| Altri nomi | MCH6613-TL-EOSCT | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.58nC @ 10V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 30V 350mA, 200mA 800mW Surface Mount 6-MCPH | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 350mA, 200mA |
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3SMC24A TR13 - Produttori:
Central Semiconductor - Descrizione:
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