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MCH6602-TL-E

MCH6602-TL-E
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Numero di parte MCH6602-TL-E
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 0.35A MCPH6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5362 pcs
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Numero di parte MCH6602-TL-E fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 0.35A MCPH6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5362 pcs Scheda dati MCH6602
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id -
Contenitore dispositivo fornitore 6-MCPH Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 3.7 Ohm @ 80mA, 4V Potenza - Max 800mW
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads
Altri nomi MCH6602-TL-EOSCT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.58nC @ 10V Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 350mA 800mW Surface Mount 6-MCPH Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 350mA

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