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HGTP5N120BND

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Numero di parte HGTP5N120BND
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 59898 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte HGTP5N120BND fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 1200V 21A 167W TO220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 59898 pcs Scheda dati TO220B03 Pkg DrawingHGTG5N120BND, HGTP5N120BND
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.7V @ 15V, 5A Condizione di test 960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 22ns/160ns di scambio energetico 450µJ (on), 390µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 65ns Potenza - Max 167W
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard Tipo IGBT NPT
carica gate 53nC Descrizione dettagliata IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-220AB
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 40A Corrente - collettore (Ic) (max) 21A

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