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HGTG5N120BND

HGTG5N120BND
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Numero di parte HGTG5N120BND
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 1200V 21A 167W TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 72989 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte HGTG5N120BND fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 1200V 21A 167W TO247 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 72989 pcs Scheda dati HGTG5N120BND, HGTP5N120BND
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.7V @ 15V, 5A Condizione di test 960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 22ns/160ns di scambio energetico 450µJ (on), 390µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 65ns Potenza - Max 167W
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-3
Altri nomi HGTG5N120BND-ND
HGTG5N120BNDFS		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT NPT carica gate 53nC
Descrizione dettagliata IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-247 Corrente - collettore Pulsed (Icm) 40A
Corrente - collettore (Ic) (max) 21A

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