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HGTP10N120BN

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Numero di parte HGTP10N120BN
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 54685 pcs
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Numero di parte HGTP10N120BN fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 1200V 35A 298W TO220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 54685 pcs Scheda dati TO220B03 Pkg DrawingHGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.7V @ 15V, 10A Condizione di test 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 23ns/165ns di scambio energetico 320µJ (on), 800µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie -
Potenza - Max 298W imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 Altri nomi HGTP10N120BN-ND
HGTP10N120BNFS
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard Tipo IGBT NPT
carica gate 100nC Descrizione dettagliata IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-220AB
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 80A Corrente - collettore (Ic) (max) 35A

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