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HGTP2N120CN

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Numero di parte HGTP2N120CN
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 6010 pcs
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Numero di parte HGTP2N120CN fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 1200V 13A 104W TO220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 6010 pcs Scheda dati TO220B03 Pkg DrawingHGTP2N120CN, HGT1S2N120CN
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A Condizione di test 960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 25ns/205ns di scambio energetico 96µJ (on), 355µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie -
Potenza - Max 104W imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT NPT carica gate 30nC
Descrizione dettagliata IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-220AB Corrente - collettore Pulsed (Icm) 20A
Corrente - collettore (Ic) (max) 13A

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